碳化硅 市場 美國北卡羅來納州 商業(yè)同業(yè)公會 顏色分級 寶石鑒定 詐騙集團(tuán) 光學(xué)效應(yīng) 天然寶石 莫依桑...碳化硅 歐姆接觸 刻蝕成型 【摘要】:以碳化硅(SiC)材料為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速率等特點(diǎn),特別

硅電力電子器件碳化硅功率二極管外延材料MOSFET單晶材料Si器件技術(shù)硅器件單晶襯底寬禁帶半導(dǎo)體...碳化硅襯底超精密加工技術(shù) 袁鐵軍 張紅蕾 張廣冬 【摘要】:通過對比不同的加工方法獲得工藝:切片采用多線切割或者多線切割與超聲切割相結(jié)合磨削采用雙面研磨獲得

碳化硅電力電子器件研發(fā)進(jìn)展與存在問題 作者:陳治明 關(guān)鍵詞:碳化硅,電力電子,器件 1引言 借助于微電子技術(shù)的長足發(fā)展,以硅器件為基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)因大功率場效應(yīng)...因此, 包 含微波電源在內(nèi)的電力電子技術(shù)有可能從碳化硅材 料的實(shí)用化得到的好處, 不僅僅是使用碳化硅功 陳治明 男, 1945 年出生, 教授, 博士生

2.探索了碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管的HPM限幅方案,通過PSpice程序仿真,研究了其防護(hù)HPM的性能。仿真結(jié)果表明:微波限幅器使用SiC寬帶隙半導(dǎo)體材料后,在防護(hù)功率范圍和...而使反向漏電流大幅從 E期 陳治明 Z 碳化硅電力電子器件及其制造工藝新進(jìn)展 C% E "$% 度下降 ! # " &') 與單純肖特基勢壘二極管一樣 $ 仍 (* 然是

作者: 陳治明,李守智著 出版社:機(jī)械工業(yè)出版社 版次:1 印次:1 印刷時間本書介紹碳化硅、氮化鎵和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的原理、特性...蕈十一■士■他t阜●I、t毫件和走電件攀術(shù)◆戧 廣I蠢膏2∞6年11月 碳化硅單晶體的切片、研磨和拋光? 陳勇臻陳治明'西安理工大學(xué)電子工程系,西安710048

納米碳化硅 粉末電極 檢測 鉑催化劑 導(dǎo)電劑 石墨化 電化學(xué) 中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條 1 鄭志遠(yuǎn)βSiC薄膜制備及特性研究[D]河北大學(xué)2002年...楊鶯 陳治明 陳勇臻 【摘要】:正碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其的性能,可用于制作工作在極限條件下的半導(dǎo)體器件和電路,例如在高頻、高溫、大功率等

碳化硅材料具有優(yōu)越的電性能,如高的擊穿電場,高的電子飽和速度,大的熱導(dǎo)率使其在功率器件方面具有很大的潛力,近年來引起人們的高度關(guān)注。 本文將從材...但是,由于SiC制備難度大、成本高,市場上還沒有較為成熟的晶體生長工藝裝備。本封先鋒,陳治明,蒲紅斌, CN 被引量: 0 加載更多來源 西安理工大學(xué)

碳化硅材料少數(shù)載流子壽命層電阻新型產(chǎn)品低電阻開路電壓導(dǎo)通電阻日本大學(xué)終結(jié)構(gòu)表面鈍化...本文是免費(fèi)的與碳化硅表面高溫改性法熱場模擬有關(guān)的參考文獻(xiàn)和數(shù)篇碳化硅坩堝相關(guān)免費(fèi)畢業(yè)論文范文及石墨板相關(guān)論文題目和石墨坩堝有關(guān)的開題報告寫作參考資料。

碳化硅 晶閘管 SilvacoTCAD 直流輸電 換流閥 PSCAD/EMTDC 損耗 終通過理論計算和仿真確定了40kV碳化硅晶閘管各層厚度與摻雜濃度,并對器件的靜態(tài)和動態(tài)特性進(jìn)行...第33卷第6期 人工晶體學(xué)報 Vol.33 No.6 004年1月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS December004 高分辨X射線衍射法研究碳化硅單晶片中的多型結(jié)構(gòu)董 捷胡

內(nèi)容包括:半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),電力電子器件的基本原理、特性及典型器件,電力電子器件的材料優(yōu)選,碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率...碳化硅晶體生長設(shè)備的研制.pdf,西安理工大學(xué) 碩士學(xué)位論文 碳化硅晶體生長設(shè)備的研制 姓名:李留臣 申請學(xué)位級別:碩士 專業(yè):電氣工程 指導(dǎo)教師:陳治明

西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文碳化硅晶體生長設(shè)備的研制姓名:李留臣申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):電氣工程指導(dǎo)教師:陳治明000101摘要摘要隨著信息化社會和現(xiàn)代科...陳治明 【摘要】:評述了各種碳化硅電力電子器件研究開發(fā)的進(jìn)展及其發(fā)展前景,指出碳化硅的優(yōu)勢不僅于能提高功率開關(guān)器件的電壓承受能力、高溫承受能力和兼顧頻率

電力電子IGBT器件的損耗分析及碳化硅器件介紹 南京信息工程大學(xué) 信息與控制學(xué)院 電氣[1]徐德鴻,陳治明,李永東,康永,阮新波編著.現(xiàn)代電力電子學(xué)[M]...關(guān)鍵詞: SiC晶片 線切割 研磨 拋光 作者: 陳勇臻 陳治明 作者單位: 西安理工大學(xué)電子工程系,西安,710048 母體文獻(xiàn): 第十四屆全國化合物半導(dǎo)體材料

碳化硅 光發(fā)射器件 場效應(yīng)晶體管 【摘要】:本文概述了寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅的電學(xué)特性、結(jié)晶多型體和能帶結(jié)構(gòu),較全面地總結(jié)了碳化硅晶體的生長方法和薄膜制備工藝,并...7 SiC半導(dǎo)體材料與器件(1)田敬民《半導(dǎo)體》 8 SiC晶閘管的光觸發(fā)可行性劉文濤 陳治明《電力電子技術(shù)》 9 碳化硅門極可關(guān)斷晶閘管的研究進(jìn)展周才能 岳瑞峰

碳化硅 遠(yuǎn)紅外加熱 輻射能 遠(yuǎn)紅外技術(shù) 硅元件 轉(zhuǎn)換效率 節(jié)電效果 電熱絲 升溫速率 節(jié)能新技術(shù)...碳化硅 機(jī)械拋光 化學(xué)機(jī)械拋光 表面質(zhì)量 材料去除率 以碳化硅(SiC)單晶為代表的第三代半導(dǎo)體材料是一種重要的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料,通過外延可以作為生長氮化鎵(GaN

【摘要】: 半絕緣SiC由于其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,使其非常適合作為大功率光導(dǎo)開關(guān)的基體材料。其中,4HSiC的臨界...6 方方李玲鈕應(yīng)喜楊霏碳化硅表面懸掛鍵的性原理研究[A]第十七屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議摘要集[C]2015年 7 陳治明碳化硅電力電子器件研發(fā)進(jìn)

馮錫淇, 駱賓章 目錄 升華外延碳化硅pn結(jié)的性質(zhì) 馮錫淇, 駱賓章 物理學(xué)報. 1980, 169(1): 110. doi: 10.7498/aps.29.1. 2607...六方碳化硅 電子輻照 深能級缺陷 正電子湮滅 5 楊鶯陳治明陳勇臻碳化硅晶體缺陷的研究[A]第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C]2007年 6 張磊

【摘要】:碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱4 陳治明碳化硅電力電子器件研發(fā)進(jìn)展與存在問題[A]中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會...碳化硅 同質(zhì)外延 化學(xué)氣相淀積 缺陷 【摘要】: 本文對同質(zhì)外延碳化硅單晶材料的生長機(jī)理和生長層的表征方法進(jìn)行了研究。研究了n型4HSiC當(dāng)磁場平行于生長軸且電

碳化硅 制造裝備 寬禁帶半導(dǎo)體 【摘要】:當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對裝備國產(chǎn)化提出了更高的要求>袁呂軍 >于開坤 >鄭有 >歐東斌 >趙世璽 >陳治明快捷...綜述SurveyLecture《電力電子》2007年4期碳化硅功率器件及其應(yīng)用的研發(fā)進(jìn)展TheRecentDevelopmentalProgressonSiCPowerDevicesandItsAppliions

論文作者簽名弛導(dǎo)師簽名 忿芝' 渺伍年莎月咖a 摘要論文題目:學(xué)科:作者:導(dǎo)師:碳化硅晶體生長過程中的擴(kuò)徑與缺陷控制微電子學(xué)與固體電子學(xué)林生晃簽名...5 楊鶯陳治明陳勇臻碳化硅晶體缺陷的研究[A]第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C]2007年 6 張磊玉芳馮敏曹學(xué)偉扶手椅型碳化硅納米管電子結(jié)